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NTMFS0D5N04XLT1G
MOSFET, N-CHANNEL, 40V, 455A, WFDFN
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS0D5N04XLT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark11AN7118
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 27 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.650 |
| 10+ | $3.210 |
| 25+ | $2.950 |
| 50+ | $2.670 |
| 100+ | $2.320 |
| 250+ | $1.840 |
| 500+ | $1.740 |
| 1000+ | $1.640 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.65
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS0D5N04XLT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark11AN7118
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id455A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente490µohm
Diseño de TransistorWFDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia194W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
455A
Diseño de Transistor
WFDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
194W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
490µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto