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NTMD4184PFR2G
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 4 A, 0.095 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMD4184PFR2G
No. Parte Newark95M6998
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMD4184PFR2G
No. Parte Newark95M6998
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P + Schottky
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.095
Resistencia de Activación Rds(on)0.07ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.6W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2022)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P + Schottky
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.095
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.07ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2022)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto