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NTH4L025N065SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L025N065SC1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark47AK6050
Rango de ProductoEliteSiC Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $19.710 |
| 10+ | $14.700 |
| 25+ | $14.630 |
| 60+ | $14.550 |
| 120+ | $14.470 |
| 270+ | $14.400 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$19.71
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L025N065SC1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark47AK6050
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id99
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia348
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
99
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
348
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto