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NTGS5120PT1G
MOSFET, P CHANNEL, -60V, -2.5A, TSOP-6
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTGS5120PT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark86AK5818
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 18 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.238 |
| 6000+ | $0.224 |
| 12000+ | $0.213 |
| 18000+ | $0.202 |
| 30000+ | $0.195 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$714.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTGS5120PT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark86AK5818
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id2.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.111ohm
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia1.1W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.5A
Diseño de Transistor
TSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.111ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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