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NTGS3446T1G
NFET TSOP6S 20V 0.065R TR
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.253 |
| 6000+ | $0.238 |
| 12000+ | $0.226 |
| 18000+ | $0.214 |
| 30000+ | $0.207 |
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Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTGS3446T1G
No. Parte Newark86AK5815
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id5.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045ohm
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente850mV
Disipación de Potencia2W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.1A
Diseño de Transistor
TSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
850mV
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza NTGS3446T1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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