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NTGD4167CT1G
MOSFET, N AND P CH, 30V, 2.6A, TSOP-6
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTGD4167CT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5814
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7039RL
Cinta adhesiva81Y7039
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 1 | $0.265 | $0.00 |
| Total Precio | $0.26 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.060 |
| 50+ | $0.488 |
| 100+ | $0.432 |
| 250+ | $0.382 |
| 500+ | $0.332 |
| 1000+ | $0.325 |
| 2500+ | $0.319 |
| 5000+ | $0.312 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.265 |
| 6000+ | $0.249 |
| 12000+ | $0.237 |
| 18000+ | $0.224 |
| 30000+ | $0.217 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTGD4167CT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5814
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7039RL
Cinta adhesiva81Y7039
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.052ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.052ohm
Diseño de TransistorTSOP
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N900mW
Disipación de Potencia de Canal P900mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.6A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.052ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
900mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.052ohm
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia de Canal N
900mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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