Imprimir página
NTF5P03T3G
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Opciones de embalaje
2,868 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.702 |
| 25+ | $0.666 |
| 50+ | $0.611 |
| 100+ | $0.555 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.70
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTF5P03T3G
No. Parte Newark06R3475
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.13W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.75
Diseño de TransistorSOT-223
Disipación de Potencia3.13
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
The NTF5P03T3G is a P-channel Power MOSFET offers -30V drain source voltage and -5.2A continuous drain current. It is suitable for DC-to-DC converters, inductive loads and replaces MMFT5P03HD.
- Ultra-low RDS (ON)
- Higher efficiency extending battery life
- Logic level gate drive
- Miniature surface-mount package
- Avalanche energy specified
- -55 to 150°C Operating temperature range
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-223
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Disipación de Potencia Pd
3.13W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.75
Disipación de Potencia
3.13
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto