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NSVMMUN2114LT3G
Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, Sencillo, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSVMMUN2114LT3G
No. Parte Newark68Y0589
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSVMMUN2114LT3G
No. Parte Newark68Y0589
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadSencillo, PNP
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor-
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor50
Corriente del Colector Continua100
Resitencia Básica de Entrada R110
Resistencia R2 Base Emisor47
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3 Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia400
Temperatura de Trabajo Máx.150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (14-Jun-2023)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Sencillo, PNP
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
50
Resitencia Básica de Entrada R1
10
Diseño de Transistor
SOT-23
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
-
Corriente del Colector Continua
100
Resistencia R2 Base Emisor
47
No. de Pines
3 Pines
Disipación de Potencia
400
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (14-Jun-2023)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (14-Jun-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto