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NJVMJD45H11D3T4G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNJVMJD45H11D3T4G
No. Parte Newark81Y3914
Rango de ProductoMJD45H11 Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNJVMJD45H11D3T4G
No. Parte Newark81Y3914
Rango de ProductoMJD45H11 Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Corriente de Colector DC8A
Corriente del Colector Continua8
Disipación de Potencia Pd20W
Disipación de Potencia20
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición90
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q101
Rango de ProductoMJD45H11 Series
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente del Colector Continua
8
Disipación de Potencia
20
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
90
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Corriente de Colector DC
8A
Disipación de Potencia Pd
20W
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
MJD45H11 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto