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NCV8402ADDR2G
MOSFET de Potencia, Canal N, SOIC
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNCV8402ADDR2GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo85AC2082
Re-reeling (Rollos a medida)81Y6972RL
Cinta adhesiva81Y6972
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3,803 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.350 | $1.35 |
| Total Precio | $1.35 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.350 |
| 10+ | $0.883 |
| 25+ | $0.835 |
| 50+ | $0.788 |
| 100+ | $0.741 |
| 250+ | $0.726 |
| 500+ | $0.712 |
| 1000+ | $0.687 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.654 |
| 5000+ | $0.646 |
| 10000+ | $0.638 |
| 15000+ | $0.629 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNCV8402ADDR2GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo85AC2082
Re-reeling (Rollos a medida)81Y6972RL
Cinta adhesiva81Y6972
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N42V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P42V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2A
Diseño de TransistorSOIC
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.165ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.165ohm
Disipación de Potencia de Canal N1.62W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Disipación de Potencia de Canal P1.62W
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
42V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.165ohm
Disipación de Potencia de Canal N
1.62W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
42V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2A
Diseño de Transistor
SOIC
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.165ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.62W
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NCV8402ADDR2G
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto