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MTB50P03HDLT4G
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMTB50P03HDLT4GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)09R9557
Cinta adhesiva09R9557
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.090 | $5.09 |
| Total Precio | $5.09 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.090 |
| 10+ | $4.810 |
| 25+ | $4.730 |
| 50+ | $4.630 |
| 100+ | $4.530 |
| 250+ | $4.460 |
| 500+ | $3.380 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMTB50P03HDLT4GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)09R9557
Cinta adhesiva09R9557
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia de Activación Rds(on)0.025ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
The MTB50P03HDLT4G is a P-channel Power MOSFET designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. It is designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls. The device is particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.
- Avalanche energy specified
- Source-to-drain diode recovery time comparable to a discrete fast recovery diode
- Diode is characterized for use in bridge circuits
- IDSS and VDS (ON) Specified at elevated temperature
- Short heat-sink tab manufactured - not sheared
- Specially designed lead-frame for maximum power dissipation
- -55 to 150°C Operating temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.025ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
125W
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto
