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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMUN2216LT1G
No. Parte Newark38K5681
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.166 |
| 10+ | $0.102 |
| 25+ | $0.090 |
| 50+ | $0.077 |
| 100+ | $0.065 |
| 250+ | $0.057 |
| 500+ | $0.048 |
| 1000+ | $0.043 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMUN2216LT1G
No. Parte Newark38K5681
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadSingle NPN
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente del Colector Continua100mA
Resitencia Básica de Entrada R14.7kohm
Resistencia R2 Base Emisor-
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3 Pin
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia400mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.160hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Single NPN
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Resitencia Básica de Entrada R1
4.7kohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50V
Corriente del Colector Continua
100mA
Resistencia R2 Base Emisor
-
No. de Pines
3 Pin
Disipación de Potencia
400mW
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
160hFE
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMUN2216LT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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