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MMBTH81
Transistor RF - Bipolar, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, SOT-23
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBTH81
No. Parte Newark58M9140
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBTH81
No. Parte Newark58M9140
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor20
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Frecuencia de Transición600
Disipación de Potencia225
Disipación de Potencia Pd0
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua-50
Diseño de TransistorSOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE0
Encapsulado de Transistor RF0
No. de Pines3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.60
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia
225
Corriente de Colector DC
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Encapsulado de Transistor RF
0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
60
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
20
Frecuencia de Transición
600
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente del Colector Continua
-50
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Alternativas para el número de pieza MMBTH81
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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