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MMBTA56LT1G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 80 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBTA56LT1G.
No. Parte Newark26AC2220
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Corriente de Colector DC500mA
Corriente del Colector Continua500
Disipación de Potencia Pd300mW
Disipación de Potencia300
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE50hFE
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorSOT-23
Frecuencia de Transición50
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.50
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente del Colector Continua
500
Disipación de Potencia
300
Ganancia de Corriente DC hFE
50hFE
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
50
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Corriente de Colector DC
500mA
Disipación de Potencia Pd
300mW
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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