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MMBT589LT1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Bajo VCE (Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT589LT1GCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo31Y2784
Cinta adhesiva83H7338
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $0.174 | $522.00 |
| Total Precio | $522.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 500+ | $0.174 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.107 |
| 6000+ | $0.102 |
| 12000+ | $0.097 |
| 18000+ | $0.091 |
| 30000+ | $0.083 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT589LT1GCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo31Y2784
Cinta adhesiva83H7338
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo30V
Voltaje Máx. Colector a Emisor30V
Corriente del Colector Continua1A
Corriente de Colector DC1A
Disipación de Potencia Pd310mW
Disipación de Potencia310mW
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición100MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Resumen del producto
El MMBT589LT1G es un transistor de conmutación de silicio PNP de montaje superficial de alta corriente para gestión de carga en aplicaciones portátiles.
- El voltaje colector-emisor es de - 30VCD máx. (TA = 25 °C)
- El voltaje de la base del colector es -50VCD máx. (TA = 25 °C)
- El voltaje de la base del emisor es -5.0VCD máx. (TA = 25 °C)
- La corriente del colector - continua es -1.0ACD máx. (TA = 25 °C)
- Corriente del colector: el pico es -2.0A máx. (TA = 25 °C)
- La tarjeta FR-5 de disipación total del dispositivo es de 310 mW máx. (TA = 25 °C)
- La resistencia térmica entre la unión y el ambiente es de 403°C/W máx. (TA = 25 °C)
- La frecuencia de corte es 100mHz mín. (IC = -100 mA, VCE = -5.0V, f = 100MHz, TA = 25 °C)
- Encapsulado SOT-23
- Rango de temperatura de unión de -55 a +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
30V
Corriente de Colector DC
1A
Disipación de Potencia
310mW
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40hFE
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
30V
Corriente del Colector Continua
1A
Disipación de Potencia Pd
310mW
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SOT-23
Frecuencia de Transición
100MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBT589LT1G
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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