Imprimir página
MMBT489LT1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
60,000 En Inventario
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.106 |
| 6000+ | $0.101 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$318.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT489LT1GCopiar
No. Parte Newark71J5994
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo30V
Voltaje Máx. Colector a Emisor30
Corriente del Colector Continua1
Disipación de Potencia Pd310mW
Disipación de Potencia310
Corriente de Colector DC1A
Ganancia de Corriente DC hFE300hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorSOT-23
Frecuencia de Transición100
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.300
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El MMBT489LT1G es un transistor de conmutación de silicio PNP de montaje superficial de alta corriente para gestión de carga en aplicaciones portátiles.
- El voltaje colector-emisor es de 30VCD máx. (TA = 25 °C)
- El voltaje de la base del colector es de 50VCD máx. (TA = 25 °C)
- El voltaje de la base del emisor es de 5.0VCD máx. (TA = 25 °C)
- La corriente del colector - continua es 1.0 ACD máx. (TA = 25 °C)
- Corriente del colector: el pico es -2.0A máx. (TA = 25 °C)
- La disipación total del dispositivo es de 310mW máx. (TA = 25 °C)
- La resistencia térmica entre la unión y el ambiente es de 403°C/W máx. (TA = 25 °C)
- La frecuencia de corte es 100mHz mín. (IC = -100 mA, VCE = -5.0V, f = 100MHz, TA = 25 °C)
- Encapsulado SOT-23
- Rango de temperatura de unión de -55 a +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
30
Disipación de Potencia Pd
310mW
Corriente de Colector DC
1A
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
300
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
30V
Corriente del Colector Continua
1
Disipación de Potencia
310
Ganancia de Corriente DC hFE
300hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
100
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBT489LT1G
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto