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MMBT4401LT3G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT4401LT3G
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)09R9451
Cinta adhesiva09R9451
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.151 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT4401LT3G
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)09R9451
Cinta adhesiva09R9451
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo40V
Voltaje Máx. Colector a Emisor40
Corriente del Colector Continua600
Disipación de Potencia225
Disipación de Potencia Pd225mW
Corriente de Colector DC600mA
Ganancia de Corriente DC hFE100hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición250
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza MMBT4401LT3G
4 productos encontrados
Resumen del producto
MMBT4401LT3G es un transistor de conmutación de silicio NPN.
- El voltaje de ruptura colector-emisor es de 40VCD mín. (TA = 25 °C, IC = 1.0mAdc, IB = 0)
- El voltaje de ruptura de la base del colector es de 60VCD mín. (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25 °C)
- El voltaje de ruptura de la base del emisor es de 6.0VCD mín. (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25 °C)
- La corriente del colector: continua es de 600mAdc máx. (TA = 25 °C)
- Corriente del colector: el pico es 900mA CC máx. (TA = 25 °C)
- La tarjeta FR-5 de disipación total del dispositivo es de 225 mW máx. (TA = 25 °C)
- La resistencia térmica entre la unión y el ambiente es de 556°C/W máx. (TA = 25 °C)
- La frecuencia de corte es 100mHz mín. (IC = -100 mA, VCE = -5.0V, f = 100MHz, TA = 25 °C)
- Encapsulado SOT-23
- Rango de temperatura de unión de -55 a +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
40
Disipación de Potencia
225
Corriente de Colector DC
600mA
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
40V
Corriente del Colector Continua
600
Disipación de Potencia Pd
225mW
Ganancia de Corriente DC hFE
100hFE
Diseño de Transistor
SOT-23
Frecuencia de Transición
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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