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MMBD301LT1G.
Diodo Schottky RF, Barrera, Único, 30 V, 200 mA, 600 mV, 0.9 pF, SOT-23
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBD301LT1G.
No. Parte Newark26AC2193
Rango de ProductoSerie MMBD3
Su número de pieza
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.036 |
| 9000+ | $0.035 |
| 15000+ | $0.034 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$108.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBD301LT1G.
No. Parte Newark26AC2193
Rango de ProductoSerie MMBD3
Configuración de DiodoÚnico
Voltaje Reverso30
Corriente Directa200
Voltaje Directo VF Máx.600mV
Voltaje Directo600
Capacitancia del Diodo0.9
Estilo de la Carcasa del DiodoSOT-23
No. de Pines3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.125
Rango de ProductoSerie MMBD3
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The MMBD301LT1G is a Silicon Hot-carrier Detector and Switching Diode designed primarily for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily adaptable to many other fast switching RF and digital applications.
- 15ps Extremely low minority carrier lifetime
- 1.5pF at VR=15V Maximum very low capacitance
- 13nA DC Low reverse leakage IR
- -55 to 125°C Operating junction temperature range
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa
200
Voltaje Directo
600
Estilo de la Carcasa del Diodo
SOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.
125
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje Reverso
30
Voltaje Directo VF Máx.
600mV
Capacitancia del Diodo
0.9
No. de Pines
3 Pines
Rango de Producto
Serie MMBD3
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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