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MJF45H11G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJF45H11G
No. Parte Newark82Y7000
Rango de ProductoMJxxxx Series
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.270 |
| 10+ | $1.630 |
| 100+ | $0.987 |
| 500+ | $0.787 |
| 1000+ | $0.723 |
| 2500+ | $0.668 |
| 10000+ | $0.618 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJF45H11G
No. Parte Newark82Y7000
Rango de ProductoMJxxxx Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Corriente del Colector Continua10
Corriente de Colector DC0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia36
Diseño de TransistorTO-220
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición40
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMJxxxx Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
36
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40
Rango de Producto
MJxxxx Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
10
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-220
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Frecuencia de Transición
40
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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