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MJF15030G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 150 V, 8 A, 2 W, TO-220FP, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $1.040 |
| 100+ | $0.886 |
| 500+ | $0.749 |
| 1000+ | $0.643 |
| 2500+ | $0.629 |
| 10000+ | $0.614 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJF15030G
No. Parte Newark38K5620
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor150
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua8
Disipación de Potencia2
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-220FP
Corriente de Colector DC0
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición30
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.20
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia
2
Diseño de Transistor
TO-220FP
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
20
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
150
Corriente del Colector Continua
8
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
30
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
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