Imprimir página
MJE13007G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | ONSEMI |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | MJE13007GCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 15 semanas |
| No. Parte Newark | 38K5604 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
91 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.490 |
| 10+ | $1.600 |
| 100+ | $1.160 |
| 500+ | $1.140 |
| 1000+ | $1.110 |
| 2500+ | $1.090 |
| 10000+ | $1.070 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.49
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
| Fabricante | ONSEMI |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | MJE13007GCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 15 semanas |
| No. Parte Newark | 38K5604 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | NPN |
| Voltaje Máx. Colector a Emisor | 400 |
| Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | 0 |
| Corriente del Colector Continua | 8 |
| Disipación de Potencia | 80 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Corriente de Colector DC | 0 |
| Diseño de Transistor | TO-220 |
| Ganancia de Corriente DC hFE | 0 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| No. de Pines | 3Pines |
| Frecuencia de Transición | 14 |
| Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín. | 4 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
The MJE13007G is a Silicon NPN Bipolar Power Transistor designed for high voltage and high speed power switching inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for 115 and 220V switch mode applications such as switching regulators, inverters, motor controls, solenoid/relay drivers and deflection circuits.
- SOA and switching applications
- Collector-base voltage (Vcbo = 700V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 9V)
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | NPN |
|---|---|
| Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | 0 |
| Disipación de Potencia | 80 |
| Corriente de Colector DC | 0 |
| Ganancia de Corriente DC hFE | 0 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín. | 4 |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Voltaje Máx. Colector a Emisor | 400 |
|---|---|
| Corriente del Colector Continua | 8 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Diseño de Transistor | TO-220 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Frecuencia de Transición | 14 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza MJE13007G
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Y-Ex RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | Lead (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |