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MJD45H11T4G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD45H11T4G.
No. Parte Newark26AC2128
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Corriente de Colector DC8A
Corriente del Colector Continua8
Disipación de Potencia20
Disipación de Potencia Pd20W
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición90
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente del Colector Continua
8
Disipación de Potencia Pd
20W
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Corriente de Colector DC
8A
Disipación de Potencia
20
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Frecuencia de Transición
90
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
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