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MJD45H11G
TRANSISTOR, PNP, 80V, 8A, TO-252
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD45H11GCopiar
No. Parte Newark38K5600
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua8A
Disipación de Potencia20W
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Corriente de Colector DC0
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición90MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.60hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia
20W
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
60hFE
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Corriente del Colector Continua
8A
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
90MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza MJD45H11G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Trazabilidad del producto
