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MJD44H11T4G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD44H11T4G.
No. Parte Newark26AC2126
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Corriente del Colector Continua8
Disipación de Potencia Pd20W
Disipación de Potencia20
Corriente de Colector DC8A
Ganancia de Corriente DC hFE60hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición85
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.60
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Disipación de Potencia Pd
20W
Corriente de Colector DC
8A
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
60
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente del Colector Continua
8
Disipación de Potencia
20
Ganancia de Corriente DC hFE
60hFE
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Frecuencia de Transición
85
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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