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MJB45H11T4G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 500+ | $0.880 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJB45H11T4G
No. Parte Newark09R9432
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Corriente del Colector Continua10
Corriente de Colector DC10A
Disipación de Potencia Pd50W
Disipación de Potencia50
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición40
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente de Colector DC
10A
Disipación de Potencia
50
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Corriente del Colector Continua
10
Disipación de Potencia Pd
50W
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Frecuencia de Transición
40
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Alternativas para el número de pieza MJB45H11T4G
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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