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MJB44H11G
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-263-3
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJB44H11GCopiar
No. Parte Newark82Y6984
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Corriente del Colector Continua10A
Disipación de Potencia50W
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Corriente de Colector DC0
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición50MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Disipación de Potencia
50W
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Montaje de Transistor
Surface Mount
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40hFE
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
10A
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
50MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJB44H11G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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