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MC1413DR2G.
Arreglo de Transistores Bipolares, NPN, 1.1 V, 500 mA
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.386 |
| 3000+ | $0.380 |
| 6000+ | $0.358 |
| 12000+ | $0.342 |
| 18000+ | $0.325 |
| 30000+ | $0.315 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMC1413DR2G.
No. Parte Newark15AC3475
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor1.1
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente NPN de Colector Continua500
Corriente PNP de Colector Continua-
Disipación de Potencia NPN-
Disipación de Potencia PNP-
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD1000
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD-
No. de Pines16Pines
Temperatura de Trabajo Máx.85
Frecuencia de Transición NPN-
Frecuencia de Transición PNP-
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Corriente PNP de Colector Continua
-
Disipación de Potencia PNP
-
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD
-
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Frecuencia de Transición PNP
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
1.1
Corriente NPN de Colector Continua
500
Disipación de Potencia NPN
-
Diseño de Transistor
SOIC
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD
1000
No. de Pines
16Pines
Frecuencia de Transición NPN
-
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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