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J271
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, TO-92, 3 Pines, 150 °C
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteJ271
No. Parte Newark58K1763
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-
Voltaje de Ruptura Vbr-
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula-
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-
Diseño de TransistorTO-92
Tipo de Transistor-
No. de Pines3 Pines
Tipo de CanalCanal P
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-
Tipo de Transistor
-
Tipo de Canal
Canal P
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Ruptura Vbr
-
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-
Diseño de Transistor
TO-92
No. de Pines
3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto