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J175-D26Z
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, -60 mA, 6 V, TO-92, 3 Pines, 150 °C
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $0.363 |
| 25+ | $0.332 |
| 50+ | $0.301 |
| 100+ | $0.270 |
| 250+ | $0.246 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteJ175-D26Z
No. Parte Newark84W8887
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente30
Voltaje de Ruptura Vbr30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula-7mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-60
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta6
Diseño de TransistorTO-92
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de TransistorJFET
Tipo de CanalCanal P
No. de Pines3 Pines
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza J175-D26Z
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El J175_D26Z es un conmutador de canal P diseñado para circuitos de muestreo y retención de conmutación analógica de bajo nivel y amplificadores estabilizados con chopper. Proviene del proceso 88.
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
30
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
-7mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Tipo de Canal
Canal P
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Ruptura Vbr
30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-60
Diseño de Transistor
TO-92
Tipo de Transistor
JFET
No. de Pines
3 Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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