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J105
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 500 mA, -10 V, TO-92, 3 Pines, 150 °C
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteJ105Copiar
No. Parte Newark58K1752
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-25V
Voltaje de Ruptura Vbr-25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula-
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero500mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-10V
Diseño de TransistorTO-92
Tipo de TransistorJFET
No. de Pines3 Pines
Tipo de CanalCanal N
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Resumen del producto
El J105 es un transistor JFET de canal N para aplicaciones de conmutación analógica o digital.
- Disipación de potencia de 625mW
Aplicaciones
Audio, Procesado de Señal, Comunicaciones y Red
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-10V
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Voltaje de Ruptura Vbr
-25V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
500mA
Diseño de Transistor
TO-92
No. de Pines
3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto