Imprimir página
HUF75639S3ST
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHUF75639S3STCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5124
Re-reeling (Rollos a medida)54AH8828RL
Cinta adhesiva54AH8828
Su número de pieza
418 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Ver horas límite
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.040 | $4.04 |
| Total Precio | $4.04 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.040 |
| 50+ | $2.780 |
| 100+ | $2.060 |
| 250+ | $2.020 |
| 500+ | $1.980 |
| 1000+ | $1.940 |
| 2500+ | $1.900 |
| 5000+ | $1.850 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 800+ | $1.900 |
| 3000+ | $1.810 |
| 6000+ | $1.740 |
| 12000+ | $1.610 |
| 18000+ | $1.560 |
| 30000+ | $1.520 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHUF75639S3STCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5124
Re-reeling (Rollos a medida)54AH8828RL
Cinta adhesiva54AH8828
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id56A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia200W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025ohm
Diseño de Transistor
TO-263AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
56A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
200W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto