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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQT3P20TFCopiar
No. Parte Newark46AC0866
Rango de ProductoQFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id670
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.06
Resistencia de Activación Rds(on)2.06ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)-10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-5
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoQFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.06
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-5
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
QFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
670
Resistencia de Activación Rds(on)
2.06ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
-10
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto