Imprimir página
FQPF13N06L
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 10 A, 0.088 ohm, TO-220F, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQPF13N06L
No. Parte Newark31Y1536
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
No está disponible
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQPF13N06L
No. Parte Newark31Y1536
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id10A
Resistencia de Activación Rds(on)0.088ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.088ohm
Diseño de TransistorTO-220F
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd24W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia24W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (17-Jan-2022)
Resumen del producto
El FQPF13N06L es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N QFET® producido utilizando banda plana y tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, amplificador de audio y aplicaciones de potencia de conmutación variable.
- Probado avalancha 100%
- Carga de puerta baja típica de 4.8nC
- Cruce bajo típico 17pF
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.088ohm
Diseño de Transistor
TO-220F
Disipación de Potencia Pd
24W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.088ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
24W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (17-Jan-2022)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (17-Jan-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto