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FGA25N120ANTDTU
IGBT, 50 A, 2.5 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pines
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFGA25N120ANTDTU
No. Parte Newark96K9932
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFGA25N120ANTDTU
No. Parte Newark96K9932
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC50A
Corriente del Colector Continua50A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.5V
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.5V
Disipación de Potencia312W
Disipación de Potencia Pd312W
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Diseño de TransistorTO-3P
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El FGA25N120ANTD es un IGBT de trinchera NPT de 1200V y 25A en un paquete TO-3P de orificio pasante. IGBT ofrece una conducción superior, rendimientos de conmutación, gran robustez frente a avalanchas y un fácil funcionamiento en paralelo. Este dispositivo es muy adecuado para la aplicación de conmutación suave o resonante.
- Voltaje de colector a emisor VCES de 1.2KV
- La corriente del colector a 25°C es de 50A
- La corriente directa continua del diodo a 25°C es 50A
- Rango de temperatura de unión operativa de - 55 °C a 150 °C
- La disipación de potencia máxima a 25°C es de 312W
- El voltaje de saturación del colector al emisor es de 2.65V en IC = 50A
- El voltaje directo máximo del diodo es de 3V a IF = 25A
- La corriente máxima de recuperación inversa del diodo es de 40A
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
50A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.5V
Disipación de Potencia
312W
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-3P
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Corriente del Colector Continua
50A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.5V
Disipación de Potencia Pd
312W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65