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FDZ191P
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 3 A, 85 mohm, WL-CSP, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDZ191P
No. Parte Newark20M1190
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia de Activación Rds(on)0.067ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente85
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd1.9W
Diseño de TransistorWL-CSP
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600
Disipación de Potencia1.9
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.067ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.9W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
85
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
WL-CSP
Disipación de Potencia
1.9
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto