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FDT86244
MOSFET POT, CANAL N, 150V, 2.8A
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FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante58 semanas
No. Parte Newark88T3371
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.450 |
| 10+ | $0.917 |
| 100+ | $0.608 |
| 500+ | $0.475 |
| 1000+ | $0.432 |
| 2500+ | $0.396 |
| 10000+ | $0.388 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante58 semanas
No. Parte Newark88T3371
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id2.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.106ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.106ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd2.2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1V
Disipación de Potencia2.2W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.106ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
2.2W
Disipación de Potencia
2.2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.106ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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