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FDT457N
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 36 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.470 |
| 6000+ | $0.437 |
| 12000+ | $0.405 |
| 18000+ | $0.394 |
| 30000+ | $0.388 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 4000
Múltiple: 4000
$1,880.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDT457N
No. Parte Newark85W3156
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id5
Resistencia de Activación Rds(on)0.043ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorSOT-223
Disipación de Potencia3
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El FDT457N es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N de 30V producido utilizando tecnología DMOS de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en el estado y proporcionar un rendimiento de conmutación superior. Se adapta bien a aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como la administración de energía de computadoras portátiles, circuitos alimentados por baterías y control de motores de CD. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
- Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Voltaje de fuente de compuerta continua (VGSS) de ±20V
- Resistencia térmica 42°C/W, unión a ambiente
- Resistencia térmica de 12°C/W, unión a carcasa
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.043ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-223
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
Disipación de Potencia Pd
3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Alternativas para el número de pieza FDT457N
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65