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FDT3612
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDT3612Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67P3499
Cinta adhesiva58K1477
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.150 | $1.15 |
| Total Precio | $1.15 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.150 |
| 50+ | $0.755 |
| 100+ | $0.530 |
| 250+ | $0.482 |
| 500+ | $0.433 |
| 1000+ | $0.401 |
| 2500+ | $0.375 |
| 5000+ | $0.368 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.388 |
| 12000+ | $0.368 |
| 20000+ | $0.361 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDT3612Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67P3499
Cinta adhesiva58K1477
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id3.7
Resistencia de Activación Rds(on)0.12ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.12
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOT-223
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia3
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDT3612 es un MOSFET de canal N diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores CD a CD utilizando controladores PWM de conmutación sincrónicos o convencionales. Cuenta con una conmutación más rápida y una carga de puerta más baja que otros MOSFET con especificaciones RDS (ON) comparables. El resultado es un MOSFET que es fácil y más seguro de conducir (incluso a frecuencias muy altas) y diseños de fuente de alimentación de CD a CD con mayor eficiencia general.
- Alta velocidad de conmutación
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
- 14nC carga baja típica de la puerta
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.12ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.12
Disipación de Potencia Pd
3W
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
