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FDS8984
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8984
No. Parte Newark86K1399
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 22 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.354 |
| 5000+ | $0.345 |
| 10000+ | $0.337 |
| 15000+ | $0.331 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$885.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8984
No. Parte Newark86K1399
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id7A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N7
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.023
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.019
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.6
Disipación de Potencia de Canal P1.6
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDS8984 es un MOSFET de doble canal N diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores de CD a CD que utilizan controladores PWM de conmutación síncronos o convencionales. Se ha optimizado para carga de puerta baja, RDS bajo (ON) y velocidad de conmutación rápida.
- Baja carga de compuerta
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Corriente de drenaje continua 7A
- Corriente de drenaje pulsada 30A
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
7
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.019
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.6
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
7A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.023
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDS8984
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65