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FDS8949
MOSFET, DUAL N CH, 40V, 6A, SOIC
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8949Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo33X5125
Re-reeling (Rollos a medida)34M6131RL
Cinta adhesiva34M6131
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12,268 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 5 | $0.530 | $0.00 |
| Total Precio | $2.65 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.510 |
| 10+ | $0.955 |
| 15+ | $0.875 |
| 25+ | $0.795 |
| 50+ | $0.714 |
| 125+ | $0.634 |
| 250+ | $0.565 |
| 500+ | $0.496 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.530 |
| 3000+ | $0.520 |
| 6000+ | $0.489 |
| 12000+ | $0.465 |
| 18000+ | $0.441 |
| 30000+ | $0.426 |
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nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8949Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo33X5125
Re-reeling (Rollos a medida)34M6131RL
Cinta adhesiva34M6131
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.029ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.029ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza FDS8949
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
