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FDS8672S
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 18 A, 0.0038 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8672S
No. Parte Newark84W8872
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.92 |
| 10+ | $1.45 |
| 25+ | $1.37 |
| 50+ | $1.30 |
| 100+ | $1.22 |
| 250+ | $1.16 |
| 500+ | $1.02 |
| 1000+ | $0.88 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8672S
No. Parte Newark84W8872
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia de Activación Rds(on)0.0038ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0038
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Alternativas para el número de pieza FDS8672S
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0038ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0038
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
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