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FDS6930B
Dual MOSFET, Dual N Channel, 5.5 A, 30 V, 0.031 ohm, 10 V, 1.9 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6930B
No. Parte Newark31Y1403
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6930B
No. Parte Newark31Y1403
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P5.5A
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
5.5A
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5.5A
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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