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FDS6898AZ
Diodos, transistores y dispositivos semi
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6898AZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)47T5047
Cinta adhesiva47T5047
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1,191 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.040 | $2.04 |
| Total Precio | $2.04 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.040 |
| 50+ | $1.360 |
| 100+ | $0.971 |
| 250+ | $0.887 |
| 500+ | $0.803 |
| 1000+ | $0.749 |
| 2500+ | $0.734 |
| 5000+ | $0.719 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6898AZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)47T5047
Cinta adhesiva47T5047
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N9.4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.014ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
9.4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.014ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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