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FDS6679AZ
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 13 A, 0.0077 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6679AZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86K1387
Re-reeling (Rollos a medida)75M2466RL
Cinta adhesiva75M2466
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.710 | $1.71 |
| Total Precio | $1.71 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.710 |
| 50+ | $1.130 |
| 100+ | $0.797 |
| 250+ | $0.726 |
| 500+ | $0.654 |
| 1000+ | $0.608 |
| 2500+ | $0.596 |
| 5000+ | $0.584 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.400 |
| 5000+ | $0.384 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6679AZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86K1387
Re-reeling (Rollos a medida)75M2466RL
Cinta adhesiva75M2466
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id13
Resistencia de Activación Rds(on)0.0077ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0077
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDS6679AZ es un MOSFET de canal P producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia del estado ON. Este dispositivo es muy adecuado para aplicaciones de conmutación de carga comunes en paquetes de baterías portátiles.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente
- Nivel de protección ESD típico de HBM de 6kV
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0077ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
13
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0077
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDS6679AZ
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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