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FDS4559
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
35,000 En Inventario
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.541 |
| 3000+ | $0.531 |
| 6000+ | $0.499 |
| 12000+ | $0.474 |
| 18000+ | $0.450 |
| 30000+ | $0.435 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$1,352.50
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS4559Copiar
No. Parte Newark67R2069
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Intensidad Drenador Continua Id4.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.055
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.105
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDS4559 es un dispositivo MOSFET complementario que se produce mediante el proceso PowerTrench avanzado que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado encendido y, al mismo tiempo, mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Adecuado para inversor de retroiluminación LCD.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id
4.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.105
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.055
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
