FDP20N50F
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Agujero Pasante
| Fabricante | ONSEMI |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | FDP20N50FCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 20 semanas |
| No. Parte Newark | 95W3174 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
¿Necesita más?
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.870 |
| 10+ | $3.420 |
| 25+ | $3.110 |
| 50+ | $2.790 |
| 100+ | $2.590 |
| 250+ | $2.420 |
| 500+ | $2.240 |
Información del producto
| Fabricante | ONSEMI |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | FDP20N50FCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 20 semanas |
| No. Parte Newark | 95W3174 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | 0 |
| Tipo de Canal | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 500 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 20 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.22 |
| Diseño de Transistor | TO-220 |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| Disipación de Potencia | 250 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
The FDP20N50F is an UniFET™ N-channel high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. The body diode's reverse recovery performance of UniFET FRFET® MOSFET has been enhanced by lifetime control. Its trr is less than 100nsec and the reverse dV/dt immunity is 15V/ns while normal planar MOSFETs have over 200nsec and 4.5V/nsec respectively. Therefore, it can remove additional component and improve system reliability in certain applications in which the performance of MOSFET's body diode is significant. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
- Improve dV/dt capability
- 100% avalanche tested
- 50nC typical low gate charge
- 27pF typical low Crss
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | 0 |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 500 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Diseño de Transistor | TO-220 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Tipo de Canal | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 20 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.22 |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 250 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Y-Ex RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |