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FDMC8622
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC8622
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)88T3280
Cinta adhesiva88T3280
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.250 | $2.25 |
| Total Precio | $2.25 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.250 |
| 10+ | $1.440 |
| 25+ | $1.290 |
| 50+ | $1.130 |
| 100+ | $0.979 |
| 250+ | $0.880 |
| 500+ | $0.780 |
| 1000+ | $0.734 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC8622
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)88T3280
Cinta adhesiva88T3280
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia de Activación Rds(on)0.0437ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0437
Diseño de TransistorMLP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd31W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9
Disipación de Potencia31
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDMC8622 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso avanzado Power Trench® que incorpora la tecnología Shielded Gate. Este proceso se ha optimizado para RDS (ON), rendimiento de conmutación y robustez.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
- Probado UIL 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0437
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
31W
Disipación de Potencia
31
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0437ohm
Diseño de Transistor
MLP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Trazabilidad del producto