Imprimir página
FDMC86160ET100
MOSFET de Potencia, Compuerta Blindada, Canal N, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC86160ET100Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3916RL
Cinta adhesiva07AH3916
Rango de ProductoPowerTrench
Su número de pieza
2,845 En Inventario
3,000 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.850 | $3.85 |
| Total Precio | $3.85 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.850 |
| 50+ | $1.940 |
| 100+ | $1.760 |
| 250+ | $1.600 |
| 500+ | $1.440 |
| 1000+ | $1.410 |
| 2500+ | $1.380 |
| 5000+ | $1.350 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC86160ET100Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3916RL
Cinta adhesiva07AH3916
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id43
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0112
Diseño de TransistorPQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9
Disipación de Potencia65
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoPowerTrench
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PQFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
65
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
PowerTrench
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
43
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0112
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto