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FDMC7696
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 20 A, 0.0085 ohm, MLP, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC7696
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)88T3273
Cinta adhesiva88T3273
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.530 | $1.53 |
| Total Precio | $1.53 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.530 |
| 10+ | $0.915 |
| 25+ | $0.834 |
| 50+ | $0.753 |
| 100+ | $0.673 |
| 250+ | $0.600 |
| 500+ | $0.528 |
| 1000+ | $0.462 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC7696
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)88T3273
Cinta adhesiva88T3273
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0085
Resistencia de Activación Rds(on)0.0085ohm
Diseño de TransistorMLP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia25
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDMC7696 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia del estado ON. Es muy adecuado para aplicaciones de conmutación de carga comunes en paquetes de baterías po
- Tecnología de alto rendimiento para RDS (ON) extremadamente bajo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0085ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
25W
Disipación de Potencia
25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0085
Diseño de Transistor
MLP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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