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FDH44N50
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 44 A, 0.12 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDH44N50
No. Parte Newark91K9818
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| 10+ | $8.220 |
| 25+ | $8.170 |
| 50+ | $8.120 |
| 100+ | $8.070 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDH44N50
No. Parte Newark91K9818
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id44
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.12
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.15
Disipación de Potencia750
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza FDH44N50
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.15
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
44
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.12
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
750
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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